Core Technology
外延生長技術
Epitaxial growth
外延生長是指在一定結晶取向的原有晶體（一般稱為襯底）上延伸出并按一定晶體學方向生長單晶層的方法，這個單晶層被稱為外延層。外延生長可以精確控制外延層的組分、厚度、界面、摻雜及均勻性，是半導體激光器制作的首步工序。外延生長的材料結構及質量直接決定了半導體激光器芯片的波長、功率、壽命及可靠性，是半導體激光器制作的核心技術之一。
FAB晶圓工藝
FAB Wafer process
FAB晶圓工藝加工是將半導體激光器或其他光電器件外延片加工成激光器芯片的關鍵加工過程。利用光刻、刻蝕技術在在外延結構上制作微米和納米級圖形，完成半導體激光器等光電器件的橫向結構的定義，構造半導體激光器的完整諧振腔和其他光電器件的功能結構。再利用介質膜和金屬膜生長等工藝完成半導體激光器等光電器件電流注入電極的制備，完成半導體激光器芯片等光電芯片的制備。
腔面解理鈍化技術
Cavity surface passivation treatment equipment and technology
在腔面解理及鈍化處理方面，采用超高真空（＜10-10torr）腔面解理鈍化工藝，結合無吸收窗口的芯片新結構及工藝，提高了芯片抗腔面光學災變損傷的功率。
高亮度合束及光纖耦合
High brightness combined beam And fiber coupling
針對大功率半導體激光器光譜質量低、光束質量差、光譜質量低的難題，采用微光學器件和緊湊化設計降低激光器尺寸和體積、采用體光柵和面光柵混合光譜合成技術在保證高輸出光束質量的情況下上百倍地提升輸出功率、采用面光柵波長鎖定技術降低中心波長漂移的同時提升光譜質量、采用高效率光纖耦合技術實現激光柔性傳輸、提高系統可靠性，通過設計創新性的結構和開發突破性的波長鎖定及光譜合成技術，研制高功率、高亮度、高光譜質量的光纖耦合模塊。